Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборудование, методология, особенности роста. Учебное пособие для вузов - Васильев В. Ю.
Автор: Васильев В. Ю.
Артикул: 1540335
Серия: Радиоэлектроника и приборостроение
SKU: VV1540335
ISBN: 9785507488858
Количество страниц: 344
Обложка: Твердый переплет
Год: 2024
Издательство: Лань(Lan')
Данная книга будет отправлена в течение 14-16 дней. Обратите внимание, что ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ скидки на данную книгу НЕ распространяются.
Артикул: 1540335
Серия: Радиоэлектроника и приборостроение
SKU: VV1540335
ISBN: 9785507488858
Количество страниц: 344
Обложка: Твердый переплет
Год: 2024
Издательство: Лань(Lan')
Данная книга будет отправлена в течение 14-16 дней. Обратите внимание, что ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ скидки на данную книгу НЕ распространяются.
Ваша цена:
$151.87
Not In Stock
Краткая аннотация
В книге представлена совокупность информации о процессах химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) неорганических тонкопленочных покрытий (ТП), являющихся конструкционной основой современных электронных приборов. Рассмотрены эволюционные изменения задач и подходов к получению ТП методами ХОГФ: типы и выбор реагентов, многочисленные варианты конструкций оборудования, выбор условий получения ТП. Проанализирована методология исследований и разработки процессов осаждения. Приведены основные примеры исследований кинетики роста тонких пленок диэлектрических, поликристаллических и проводящих материалов, проанализированы особенности процессов роста тонких пленок, в том числе процессы образования неприемлемой для электронных технологий аэрозольной фазы — макродефектов в приборах. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ тонких пленок с их ростовыми характеристиками. Предложены схемы процессов роста, учитывающие общее и особенное в процессах ХОГФ. Показана количественная взаимосвязь кинетических характеристик процессов ХОГФ и закономерности роста пленок на ступенчатых рельефах трехмерных структур электронных приборов. Количественно показаны границы эффективности использования различных процессов ХОГФ для реальных структур электронных приборов. Рекомендуется для студентов старших курсов высших учебных заведений, аспирантов, исследователей и инженеров, работающих в области микроэлектронных технологий.
Похожие товары
Атлас + контурные карты 5 класс. География. ФГОС Россия в новых границах
Atlas + konturnye karty 5 klass. Geografiia. FGOS Rossiia v novykh granitsakh , Krylova Ol'ga VadimovnaКрылова Ольга Вадимовна
Артикул: 1625070
$14.68
Доставка за 14–20 дней
Атлас 5 класс. География. ФГОС Россия в новых границах
Atlas 5 klass. Geografiia. FGOS Rossiia v novykh granitsakh , Krylova Ol'ga VadimovnaКрылова Ольга Вадимовна
Артикул: 1625076
$11.65
Доставка за 14–20 дней
Коростелев С. Земля-Венера Две жизни Леонида Ксанфомалити
Korostelev S. Zemlia-Venera Dve zhizni Leonida Ksanfomaliti , Korostelev S.Коростелев С.
Артикул: 1619434
$82.98
Доставка за 14–20 дней
Физика:справ.для подг.к ЕГЭ:основ.определ,законы мф дп
Fizika:sprav.dlia podg.k EGE:osnov.opredel,zakony mf dp , Kasatkina Irina LeonidovnaКасаткина Ирина Леонидовна
Артикул: 1595639
$17.77
Доставка за 14–20 дней
Атлас + контурные карты 9 класс. География. ФГОС Россия в новых границах
Atlas + konturnye karty 9 klass. Geografiia. FGOS Rossiia v novykh granitsakh , Krylova Ol'ga VadimovnaКрылова Ольга Вадимовна
Артикул: 1625066
$14.68
Доставка за 14–20 дней
Русский язык:подгот.к ЕГЭ:литератур.аргументы ,
Russkii iazyk:podgot.k EGE:literatur.argumenty , , Zaiarnaia I.Iu.Заярная И.Ю.
Артикул: 1596136
$12.52
Доставка за 14–20 дней
Успешное сочинение на ЕГЭ по русскому языку
Uspeshnoe sochinenie na EGE po russkomu iazyku , Elanskaia I.S.Еланская И.С.
Артикул: 1595108
$16.18
Доставка за 14–20 дней
